2SB1121 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
2SB1121
|
|
حجم فایل
|
191.251
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
4
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
-
Datasheet:
onsemi 2SB1121T-TD-E
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
-
-
Collector Current (Ic):
2A
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Transition Frequency (fT):
150MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
100@100mA,2V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
350mV@1.5A,75mA
-
Package:
SOT-89-3
